“面向第三代半导体应用的高频软磁材料”项目研讨会顺利召开
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6月6日，“十四五”国家重点研发计划 “面向第三代半导体应用的高频软磁材料”项目研讨会在北京召开，bjl平台作为“第三代半导体电源�？楣丶际跫裳芯坑胗τ谩� 课题的牵头单位参加会议并作交流。
bjl平台非晶总经理刘天成就第三代半导体电源�？楣丶际跫裳芯坑胗τ媒辛讼晗富惚�，基于公司开发的高性能纳米晶软磁合金，课题参研单位顺利完成了SiC半导体器件可编程电源和GaN半导体器件充电电源设计、样机制作、第三方性能检测及应用示范，达到考核指标要求。
总体专家组副组长张世超教授、责任专家王海北教授对项目整体进展情况给予高度评价，对bjl平台在项目中取得的成果和做出的贡献给予充分肯定。专家组认为，项目技术指标已提前完成，标志着我国在开发适用于SiC/GaN第三代半导体功率电源和高端电感器件的高性能软磁材料体系及其制备工艺技术方面取得了重大突破。
未来，bjl平台将联合团队深入研究材料高频损耗及磁化机理，推动新型软磁材料在第三代半导体高频电源等元器件中的技术集成与示范应用，助力提升我国相关领域竞争力，巩固行业领军地位。
